JB/T 9687.1-1999 前言 本标准在ZBK4601289基础上，根据目前电力半导体器件的发展需要作了修订，技术要求作了 适当提高： 1钼片直径增加100mm品种，部分直径增加了厚度规格。 2磨削等级B、C已不符合现在的要求，统一规定为原A级数据，并直接标明在钼片外形图上。 3化学成分一条中去掉M02牌号，仅规定钳含量不低于99.93%的M01牌号。 4钼片密度将原标准为9.38g/cm²提高至不低于9.90g/cm。 5表2中总崩边数和端面缺陷数量从原来的小于等于10提高至小于等于5。 本标准编写规则按GB/T1.1一1993的规定。 本标准的附录A是标准的附录。 本标准自实施之日起，代替ZBK46012-89。 本标准首次发布于1989年3月14日。 本标准由西安电力电子技术研究所提出并归口。 本标准由西安电力电子技术研究所、深圳东方有色金属工业有限公司、辽宁省本溪钨钼有限责任 公司负责起草。 本标准主要起草人：于鸿岩、王志法、杜纪梅、仲祥维、赵宝华、蓝筱屏。 138 中华人民共和国机械行业标准 JB/T 9687.1-1999 电力半导体器件用钼圆片 代替ZBK46012—89 Molybdenum disk for power semiconductor devices 1范围 本标准规定了电力半导体器件用钼圆片（以下简称钼片）的外形尺寸、技术要求、试验方法、检 验规则及包装、运输、存和标志。 本标准适用于钼板冲制及钼坏锻造法生产的电力半导体器件用钼片。 2引用标准 下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。在标准出版时，所示版本 均为有效。所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。 GB/T3876—1983 钼及钼合金板 GB/T3461—1982 钼粉技术条件 GB/T 1958--1980 形状和位置公差检测规定 GB/T4325—1984 钼化学分析方法 GB/T 4196—-1984 钨钼条密度测定方法 JB/T2868—1984 烧结金属材料（硬质合金除外）抗弯强度试验法 JB/T9687.2—1999 电力半导体器件用钨圆片 3外形尺寸及精度 钼片的直径、厚度及精度应符合图1和表1的规定。 0. 015]A 0.010 K A H±0.10 A GD-.. 图1 钢片外形图 4技术要求 4.1外观 钼片表面应无肉眼可见的分层、划痕、黄斑和毛刺。 经腐蚀后观察钼片表面应无肉眼可见的裂纹。 国家机械工业局1999-08-06批准 2000-01-01实施 139 JB/T 9687.11999 4.2 钼片表面质量应符合图1要求及表2的规定。 表 1 mm 直 厚 度 径 厚 度 D H D H 6. (7) 0.8 38 2.0 9 1.2 40 2.0 11 1.2 42 2.0 12 1.2 45 (2.5). 2.8 14.(16) 1.5 48 .2.5 18 1.5 50 (2.5), 3.0 20 1.5 52. 2.5 22 1.8 55 2.8 24 1.8 60. 65 (2.5), 2.8 (3.0 ) 26 1.8 70 (2.5), 3.0 28 1.8 72 (2.5), 3.0 30 1.8 76.2 2.5.3.0 32 2.0 100 (4.5). 5.0 35.(36) 2.0 注：括号内为保留尺寸、不推荐使用。 表2 项 名称 单位 质量要求 径向 自然倒角深度 轴向 N0.15 径向深 ≤0.30 mm 周边宽 《0.65 崩边 相邻间距 ≥0.50 总崩边数 个 sw 尺寸（单个缺陷） ≤0.25×0.15 mm 端面缺陷 间距 ≥0.25 数量 个 4.3化学成分 采用钼板冲制法生产的钼片的化学成分应符合GB/T3876-1983中M01的规定，其中钼含最不小 于99.93% 采用钼还锻造法生产的钼片化学成分应符合GB/T3461的规定，其中钼含量不小于99.90%。 4.4 电阻率 钼片电阻率不大于6.26×10-6Q·cm（20℃）。 140 JB/T 9687.1-1999 4.5热膨胀系数 在0~700℃时，错片热膨胀系数应为4.7~6.1×10-6/℃。 4.6密度 钼片密度不低于9.90g/cm²。 4.7抗弯强度 钼片在室温时的抗弯强度应大于420MPa。 4.8显微组织 钼片经过消除应力退火后，允许材料显示出再结晶，但再结晶的面积不大于20%，且均匀分布。 5试验方法 5.1 外形尺寸及表面质量 钼片的外形尺寸（直径和厚度）分别用游标卡尺和0.5乱m精度的千分尺测量。 钼片的平面度用百分表测量，平行度用0.5μm精度的千分尺测量。测量方法按GB/T1958。 钼片的表面粗糙度按有关标准规定进行测量。 5.2显微组织试验 对需要进行显微组织试验的钼片，应先磨光后腐蚀15s，再用清水轻轻清洗，最后用酒精脱水。 所用腐蚀剂应符合以下要求： 氢氧化钠10%，铁氰化钾30%，蒸馏水60%； 腐蚀后在放大10~20倍的显微镜下进行检查，垂直于轧制方向的断面应符合4.8的规定。 5.3电阻率的测定 5.3.1按图2从受检钼片上切取长条形试样，并将两切面端磨平。试样各表面粗糙度不大于1.6um， 无肉眼可见的沟槽和裂纹。试样截面尺寸测量精确到0.01mm。 "ad H±0.10 图2电阻率测试试样 5.3.2仪器、夹具 5.3.2.1仪器 采用双臂电桥法测定试样电阻值，测量精度为0.005μm。测试电流密度为0.8~1.2A/mim²。 5.3.2.2测试夹具应符合如下条件： 141 JB/T 9687.1-1999 a）电位端距离为试样宽度的6倍以上； b）同侧电流端利电位端间距不小于试样宽度的3倍； c）两电位端距离测量精度到0.01mm。 5.4热膨胀系数的测定 试样按图3从受检钼片上在电火花线切割机上制取 6.3 [// [ 0. 05 A 20±0.1 20±0.1 A （a）标准试样 （b）代用试样 图3线膨胀系数测试试样 采用膨胀仪测定钼片的线膨胀系数，为了防止氧化，将试样在氩气保护下进行测试，测试时温度 从室温匀速升温至400℃，升温速度为1℃/min。 5.5抗弯强度试验 5.5.1试样按图4从受检产品上切取，试样的各表面粗糙度不大于1.6um，且无肉眼可见的沟槽利裂 纹，试样宽度B、厚度H值测量精确到0.05mm。 B=0.64T H±0.10 图4抗弯试验试样 5.5.2试验夹具应符合下列条件，夹具示意图如图5， Q6+10 图5抗弯试验夹具示意图 142 JB/T 9687.1-1999 a）加载滚柱直径为试样厚度的4倍； b）两支承滚柱直径为6*olmm，问距为试样直径的3/4； c）加载滚柱和支承滚柱应平行放置，且滚柱轴向垂直于加载方向。加裁滚柱应在两支承滚柱中问； d）各滚柱硬度不低于HRC58。 5.5.3试验机、操作程序、结果与计算按JB/T2868。 5.6腐蚀试验 本试验月于检验4.1要求的钼片表面质量。 将检验合格的钳片放在塑料盆内，用1%~5%的氢氧化钠加其余含量为35%的双氧水腐蚀。腐蚀 时间根据反应速度决定。开始生成淡黄色的溶液，继续与双氧水反应生成深棕色的泡沫后立即冲冷水 再用冷热去离子水冲净，用丙酮脱水烘干。 6检验规则 6.1j 逐批检验 每批钼片出厂前必须按表3规定的项目进行检验。 表3 序号 检验项目 检验方法 合格判据 AQL（1) 外 观 目检 符合4.1 1 1.5 表面质量 2 按5.1 符合4.2 1.0 外形尺寸 按5.1 符合图1、表1 3 1.0 化学成分 4 按GB/T4325 符合4.3 1.0 密 度 按GB/T4196 符合4.6 5 1.0 注：AQL的具体抽样数见附录A1。逐批检验如初次提交不合格，可按加严检验办法重新提交次再次检验， 但只能提交一次。 6.2周期检验 已定型正常生产的钼片应按表4规定，每年至少应作一批腐蚀检验，每三年至少作一批周期检验 （腐蚀试验除外）。周期检验在逐批检验合格的基础上进行。 当设计、工艺、材料变更，或停产再次投产，或新产品鉴定时，应作逐批检验和周期检验。 表 4 拍样方案 序号 检验项目 检验方法 合格判据 n C 按5.6 1 腐饼 符合表2 11 1 2 抗弯强度 按5.5 符合4.7 5 1 3 热膨胀系数 按5.4 符合4.5 5 1 4 电阻率 按5.3 符合4.4 5 1 5 显微组织 按5.2 符合4.8 5 注 1n为样品数，c为合格判定数。 2周期检验如第---次抽样检验不合格，可按附录A2采用追加抽样的办法再逃行---次检验，但只能追加-次 143 JB/T 9687.1-1999 7 包装、运输、存、标志 7.1包装 片经检验合格后随质量证明书或合格证进行包装。装箱前先用防潮纸将钼片隔开，然后卷包好 置于保护筒中固紧、加盖。最后集装于木箱内。每箱净重不得超过20kg。 7.2运输 钼片在装运过程中严防剧烈振动和碰撞，以免损坏。 7.3贮存 钼片应存放在于燥、通风和无酸、碱气氛侵袭的场所，以防氧化。 7.4标志 在包装箱上明显处给出以下标志： a)产品名称及规格； b)净重； c）“防潮”字样或标志； d）收货单位、地址和名称； e）发货单位名称； f)发货日期。 7.5质量证明书 每批钼片应附有质量证明书或合格证，其内容包括： a）生产名称； b）产品批号； c）各项分析检验结果及检验部门公章； d)执行标准代号； e）检验日期。 7.6验收 需方应在收到钼片三个月内进行验收检查，如发